Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Intel o trójbramkowym tranzystorze
13 czerwca 2006, 07:32Intel poinformował, że jego trójbramkowy tranzystor będzie gotowy do produkcji w ciągu najbliższych lat i zostanie wykorzystany przy przejściu na 32- lub 22-nanometrowy proces produkcyjny.
Wspólne pamięci zmiennofazowe Intela i ST
10 czerwca 2006, 19:27Intel i STMicroelectronics NV ogłosiły, że połączą swoje siły w pracach nad pamięciami zmiennofazowymi. Tego typu nieulotne rodzaje pamięci mają w przyszłości zastąpić wykorzystywane obecnie układy typu flash.
« poprzednia strona następna strona » … 48 49 50 51 52 53 54
